【重点事件】晶圆代工领域“新贵”Rapidus获日本政府高额补贴

　　4月2日，日本批准向芯片企业Rapidus公司提供高达5900亿日元（约合39亿美元）补贴，帮助Rapidus购买芯片制造设备，并开发先进后端芯片制造工艺，为日本在半导体制造业实现赶超雄心投入更多资金。这家成立仅19个月的初创公司已获得数十亿美元政府资金。这些拨款旨在恢复日本昔日芯片制造实力。

　　【重点事件】韩国釜山计划新建2座8英寸SiC/GaN工厂

　　4月6日，据韩媒报道，韩国釜山市正计划投建2座8英寸SiC/GaN功率半导体生产设施，最快将于明年下半年开始。据悉，釜山市政府计划投资400亿韩元（约合人民币2.2亿），在东南地区—放射线医科学产业园区增建一座采用SiC、GaN等新一代材料的8英寸化合物功率半导体生产设施，该项目已获得国家及市级基金资助。

　　其次，他们将在机张郡成立一座新的功率半导体技术研究所，该研究所将接管位于功率半导体商业化中心（PSCC）的6英寸功率半导体生产设施，并安装运营新的8英寸生产设施，支持入驻企业开展1700V级高压器件技术研发等技术工作，同时开展盈利业务，计划于明年下半年开始建立。

　　与此同时，位于功率半导体商业化中心（PSCC）的20多家半导体公司还计划投资1.1万亿韩元（约合人民币60亿），以打造下一代功率半导体生态系统。

　　【重点企业】铠侠计划在2031年量产1000层3D NAND

　　4月6日，据外媒Xtech Nikkei报道，日本存储芯片大厂铠侠（Kioxia）首席技术官（CTO）Hidefumi Miyajima表示，该公司计划到2031年批量生产超过1000层的3D NAND Flash芯片。

　　在近日于东京城市大学举行的第71届应用物理学会春季会议上的演讲中，Miyajima讨论了在3D NAND器件中实现超过1000层的技术挑战和解决方案。

　　据介绍，增加3D NAND Flash器件中的有源层数量是当今提高NAND Flash密度的最佳方法，因此所有3D NAND Flash制造商都努力每1.5到2年就推出新的工艺节点来实现这一目标。每个新节点都会带来一些挑战，因为3D NAND Flash制造商必须增加层数并横向和纵向缩小NAND Flash单元。这个过程要求制造商在每个新节点都采用新材料，这是一项重大的研发挑战。

　　如今，铠侠最好的3D NAND Flash器件是第八代BiCS 3D NAND Flash，具有218个有源层和3.2 GT/s接口（于2023年3月首次推出）。这一代引入了一种新颖的CBA（CMOS直接键合到阵列）架构，该架构涉及使用最合适的工艺技术单独制造3D NAND Flash单元阵列晶圆和I/O CMOS晶圆并将它们键合在一起。其结果是产品具有增强的位密度和改进的NAND I/O速度，这确保了内存可用于构建最好的SSD。

　　与此同时，铠侠及其制造合作伙伴西部数据（Western Digital）尚未披露CBA架构的具体细节，例如I/O CMOS晶圆是否包括额外的NAND外围电路（如页缓冲器、读出放大器和电荷泵）。通过分别生产存储单元和外围电路，制造商可以为每个组件利用最高效的工艺技术，随着行业向串堆叠等方法发展，制造商将获得更多优势，串堆叠肯定会用于1000层3D NAND。

　　【重点企业】SK海力士与美国印第安纳州签约先进后端工艺领域投资合作

　　4月4日，SK海力士宣布，在美国印第安纳州西拉斐特（West Lafayette）建造适于AI的存储器先进封装生产基地，同时与美国普渡（Purdue）大学等当地研究机构进行半导体研究和开发合作。公司计划向该项目投资38.7亿美元。

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